安徽進(jìn)步半導(dǎo)體科技

ANHUI ADVANCED SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

1、硅片硅片位于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游，是半導(dǎo)體器件和太陽能電池的主要原材料，主要應(yīng)用于光伏和半導(dǎo)體兩個(gè)領(lǐng)域，下游需求近年來不斷增長。分領(lǐng)域來看，光伏用硅片的產(chǎn)能大多集中在我國，中環(huán)、隆基等龍頭公司實(shí)力強(qiáng)勁，生產(chǎn)技術(shù)水平全球領(lǐng)先；半導(dǎo)體硅片相對于光伏用硅片而言制作工藝更為復(fù)雜，應(yīng)用場景也更多，市場價(jià)值更高，然而我國的半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)起步晚，發(fā)展水平較為落后，全球市場被日本廠家壟斷，市場主流的 12寸...

MOCVD是金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文縮寫。MOCVD是在氣相外延生長（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)起源于1968年，由美國洛克威公司的Manasevit等人提出。經(jīng)過近20年的飛速發(fā)展，MOCVD成為了目前半導(dǎo)體化合物材料制備的關(guān)鍵技術(shù)之一。在MOCVD中，將超純氣體注入...

本文是一篇介紹在Si襯底上外延生長GaN基材料并用于射頻領(lǐng)域的綜述，如何生長高質(zhì)量的Si基GaN,是業(yè)內(nèi)比較關(guān)注的問題。摘要 : Si 襯底因兼具大尺寸、低成本以及與現(xiàn)有 CMOS 工藝兼容等優(yōu)勢，使 Si 襯底上 GaN 基射頻( RF) 電子材料和器 件成為繼功率電子器件之后下一個(gè)該領(lǐng)域關(guān)注的焦點(diǎn)。 由于力學(xué)性質(zhì)與低阻 Si 襯底不同，高阻 Si 襯底上 GaN 基外延材料生長的應(yīng)力控制...