歷經(jīng)各項(xiàng)測試 表現(xiàn)優(yōu)秀
在外延厚度測試、翹曲測試、表面形貌測試、接觸式霍爾測試中表現(xiàn)優(yōu)秀，片內(nèi)成膜均勻、完整
提升20%
與國際器件線性度對比
降低20%
與國際材料射頻損耗對比
<0.55mm
邊緣裂紋長度
GaN外延材料技術(shù)各項(xiàng)性能指標(biāo)優(yōu)異
優(yōu)秀技術(shù)
攻克難題
材料射頻損耗對比 (0.4dB/mm@40GHz) 器件線性度對比(-36.7dBc@26GHz)
性能卓越
進(jìn)步的射頻材料和電子材料性能優(yōu)秀
高精尖設(shè)備 確保產(chǎn)能
擁有多臺高精尖設(shè)備，可直接提供2~8英寸微波射頻/電力電子應(yīng)用GaN外延材料，年產(chǎn)能GaN外延片3000片
多項(xiàng)專利著作
掌握知識產(chǎn)權(quán)
擁有多項(xiàng)核心技術(shù)獲多項(xiàng)授權(quán)專利，并發(fā)表多項(xiàng)公開論文及高水平專著
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