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GaN的高頻Baliga優(yōu)值顯著高于Si,因此GaN的優(yōu)勢在高頻小電力領域,集中在1000V以下,例如通信基站、毫米波等。
高質(zhì)量功率/射頻硅基氮化鎵外延片4~8英寸
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